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问一个电路分析基础的问题，等效电路怎么画？知乎

DRV（引脚1）：外接PMOS管栅极驱动端，控制PMOS的通断来给后面电池充电。PVCC（引脚2）：驱动管电源正输入端。VCC（引脚3）：模拟电源正输入端。我们直接把它和引脚2接在一起即可。NCHRG（引脚4）：充电状态指示端。当充电器向...

严厉：科技部开发智能工具，主动监测分析造假学术论文，现已查处 293 人

通过 AI，他们分析了 PubMed Open Access 子集(PMOS)中截止到 2015 年发布的所有数据，包含了 760036 篇文章、超过 200 万的数据。这项研究得出一个令人震惊的结论：在 PubMed Open Access 上，大约有 0.59%的文章(760036 篇...

MOS管应用分析

这个错误的电路可以这么分析，初始时，PMOS还处于关断状态时，G电压为5V，S电压为12V，G低于S电压7V，可以完全导通；当R4上的电流上升时，R4上的电压增大，所以S点的电压会下降，当下降到一个比较低的值时，G、S间的电压差已经...

Mos管工作原理图详解及结构分析

MOS管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。对于这两种增强型MOS管，比较...

硬件设计中非经典巧妙的20个电路，带分析，收藏起来慢慢看（一）

原理分析：当输入端加正向电压之后，比如+5V，D端电压为5V，由于MOS管体二极管的存在，S端的电压为4.3V，S端电压减G端电压大于开启电压，PMOS导通后，寄生二极管短路，不再起作用；电压反接后，G端电压大于S端电压，不导通，...

MOS管设计知识：传输管TG的原理及组合逻辑延时分析

1、MOS的基本性质 MOS，即场效应管，四端器件，S、D、G、B四个端口可以实现开和关的逻辑状态，进而实现基本的逻辑门。NMOS和PMOS具有明显的对偶特性：NMOS高电平打开（默认为增强型，使用的是硅栅自对准工艺，耗尽型器件这里不...

关于静电放电（ESD）原理以及其保护方法的详细分析

一般都是把Gate/Source/Bulk短接在一起，把Drain结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)，PMOS称之为GDPMOS(Gate-to-Drain PMOS)。以NMOS为例，原理都是Gate关闭状态，Source/Bulk的PN结...

拆解分析几款步进驱动器

第一款，主控F4，还是QFN封装的，第一次见整体布局，最大的一个电容省掉了背面布局，左边扣阻焊的一条压着导热片贴到外壳，实际上另外4个PMOS就是纯空气散热预驱和MOS的型号这种焊接方式也是很神奇，这还是贴了保修贴的呢没错...

10-14英寸Micro LED显示面板成本预估分析：目前为6000–10000美元/块|基板|阵列|led|ltps|micro_网易订阅

LTPS PMOS 阵列工艺 RGB Micro LED为倒装式芯片，全彩显示面板 RAM 嵌入式驱动芯片，无触控或眼球跟踪传感器我们以 10.1 英寸作为基本尺寸，可以在此模型中按比例估算 12.1 英寸 Micro LED 显示面板的成本，即 10.1 英寸显示...

MOS开关电路的分析

Proteus仿真PMOS开关电路，如图所示在R4的输入端加一定宽度脉冲，控制Q2的导通和截止。Q2导通时，Q1的栅极电压14V，小于源极28V，Q1导通，LED亮。Q2截止时，Q1的栅极电压28V，等于源极28V，Q1截止，LED灭。Q1的漏极D和源极S反...